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www.rohm.com
?2011
ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB550EA
?Applications
?Dimensions (Unit : mm)
?Land size figure (Unit : mm)
Low current rectification
?Features
1)Small mold type.（TSMD5）
2)Low VF, Low IR
3)High reliability
?Construction
Silicon Epitaxial Planer
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VR
V
Io A0.7
IFSM
A
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?40 to ?150
?Electrical characteristics (Ta=25°C, Rating of per diode.)
Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions
VF1
0.39 0.45 0.49 V IF=0.7A
IR1 - 1 30.00
μAVR=10V
IR2 5.0 50
μAVR=30V
C=100PF,R=1.5K?
Parameter
Reverse voltage (DC)
30
Average rectified forwarfd current (*1)
Forward current surge peak (t=1msec)
12
Storage temperature
(*1)Rating of per diode.
Parameter
Forward voltage
Reverse current
ESD break down voltage ESD 15 - - KV
Forward and reverse : 1 times
2.9±0.1
2.8±0.2
1.9±0.2
1.6
＋0
.2
－0
.1
0.95 0.95
0.4
＋0.1
　－0.05
各リードともEach lead has same dimension同寸法
0～0.1
0.33±0.03
(1) (3)(2)
(5)
(4)
0.3～
0.6
0.85±0.1
1.0Max
0.7±0.1
0.16±0.1
0.06
TSMD5
ROHM : TSMD5
dot(year week factory) + day
3.2±0.08
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
1.1±0.08
3.2±0.08
φ1.1±0.1
3.2±0.08
0.3±0.1
0～
0.5
5.5±0.2
0.8MIN.
1.0MIN.
0.45 0.35
0.45
0.6
0.35
1.9
0.95 0.95
2.4
1/3
2011.05 - Rev.A
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